News

Anton Hromov, Andrej Zorko in Matej Pregelj so skupaj s sodelavci iz Odseka za tanke plasti in površine F3 in kolegi iz Srbije objavili članek: Perpendicular magnetic anisotropy in multilayers arising from the interplay of thermal strains and diffusion-driven plastic deformation, v reviji Acta Materialia (https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.120320). Magnetni filmi s pravokotno magnetno anizotropijo (PMA) so osnova za učinkovito shranjevanje podatkov in bodoče spintronske naprave. PMA izvira pretežno iz površinskih efektov na meji med dvema plastema in hitro pada z naraščajočo debelino plasti. Posledično so posamezne plasti v takih filmih, z velikim številom izmenjujočih se magnetnih in nemagnetnih plasti, tipično tanjše od nanometra. Z meritvami feromagnetne resonance pa je skupina pokazala, da je močan PMA mogoče doseči tudi v večplastnih Si/Ni filmih z debelino posamezne plasti preko 10 nm. Ključni mehanizmi so termično vsiljena napetost, plastična deformacija in difuzija, ki preko magnetoelastične sklopitve vsilijo PMA. Tak postopek odpira pot do izdelave PMA filmov, ki se izogne ​zapleteni in dragi proizvodnji atomsko tankih večplastnih filmov.

Prof. dr. Miha Ravnik s Fakultete za matematiko in fiziko Univerze v Ljubljani in Instituta »Jožef Stefan« je prejemnik odmevne Samsung Prize for Mid Career Achievement, ki jo podeljuje Mednarodno tekočekristalno društvo, in sicer za njegove prispevke k fiziki in simulacijam tekočih kristalov. Nagrado je prejel nedavno na 29. Mednarodni tekočekristalni konferenci v Rio de Janeiru. Nagrada se podeljuje vsaki dve leti dvema najboljšima raziskovalcema na sredini kariere za izkazano znanstveno odličnost na širšem področju znanosti tekočih kristalov.

George Cordoyiannis je v sodelovanju s sodelavci iz KU Leuven (Belgija), University of Colorado (ZDA), University of Hull (Združeno Kraljestvo) objavil članek v reviji Physical Review E, ki poroča o obstoju nove vmesne Nx faze v enem od dveh prvih odkritih feroelektričnih nematskih tekočih kristalov, RM734. Temperaturno območje te faze je 1,15 ± 0,10 K in entalpija prehoda N-Nx je zelo majhna (< 5 mJ/g).

https://doi.org/10.1103/PhysRevE.110.014703

Velik napredek razumevanja topoloških omejitev v biološki fiziki in fiziki mehke snovi v zadnjih letih je spodbudil evropsko COST grupacijo EUTOPIA, da je pripravila obsežen pregledni članek o topoloških efektih pri organizaciji DNK in genoma do spletenih proteinov, polimernih materialov, tekočih kristalov, in teoretične fizike, z glavnim namenom zmanjšati ovire med različnimi podpodročji mehke in biološke snovi.  Simon Čopar, Miha Ravnik, Primož Ziherl in Slobodan Žumer, sodelavci Instituta “Jožef Stefan” in Fakultete za matematiko in fiziko Univerze v Ljubljani so skupaj s sodelavci iz skupine EUTOPIA v reviji Physics Reports objavili obsežen pregledni članek “Topology in soft and biological matter“.

Physics Reports 1075, 18 July 2024, Pages 1-137, Topology in soft and biological matter.

https://doi.org/10.1016/j.physrep.2024.04.002

COBISS.SI-ID 32291367 IF = 29.9

PEKLAR, Rok, MIKAC, Urška, SERŠA, Igor. The effect of battery configuration on dendritic growth : A magnetic resonance microscopy study on symmetric lithium cells. Batteries. 2024, vol. 10, art. 165, 13 str. ISSN 2313-0105. https://www.mdpi.com/2313-0105/10/5/165.

Potencial kovinskega litija, da postane anodni material za baterije naslednje generacije, ovirajo pomembni izzivi, med katerimi je glavni rast dendritov med polnjenjem baterije. Te dendritne strukture ne le poslabšajo delovanje baterije, ampak predstavljajo tudi varnostna tveganja. V tej študiji je bil uporabljen nedavno uveden posredni pristop slikanja, ki temelji na 1H MRI elektrolita, s katerim smo zaporedno slikali rast dendritov v različnih konfiguracijah simetričnih litijevih celic. Izmerjene zaporedne slike so z uporabo volumetrične analize omogočale merjenje rasti dendritov v vsaki celici. Rezultati rasti so potrdili našo teoretično napoved, da je rast med celicami neenakomerna pri vzporedni vezavi celic in je enakomerna pri zaporedni vezavi celic.